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康永林; 王先进; 郁伟中;
北京科技大学;
清华大学;
正电子湮灭; 深冲钢板; 位错密度;
机译:基于位错密度,孪生和孪生的带有硬化的弹塑性自洽模型:在HCP金属应变路径变化中的应用
机译:(PS173)冷轧钢板残留应变和位错密度的晶体取向分布
机译:(PS173R)冷轧钢板残留应变和位错密度的晶体取向分布
机译:X射线谱线分析中应变各向异性位错模型的晶粒或亚晶粒尺寸分布,位错密度和位错特征
机译:镉单晶中位错速度和移动位错密度的测量与应变和应变率的关系。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:预应变超薄单晶铜膜中堆垛层错引起的位错湮灭的分子动力学模拟
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错
机译:通过将阻挡杂质注入到应变层中来减少应变层场效应晶体管中由位错引起的泄漏的方法
机译:松弛的Sige膜上的应变硅具有均匀的失配位错密度
机译:降低螺纹位错密度的应变硅形成方法
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