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蔡道林; 李平; 张树人; 翟亚红; 阮爱武; 刘劲松; 陈彦宇; 欧阳帆;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
铁电电容; Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜; 铁电存储器;
机译:铁电纳米线电容器的制备 - 旨在应用于高度集成的铁电记忆
机译:应用于FeRAM的三维铁电电容器的制作与研究
机译:压电响应力显微镜研究集成铁电电容器侧壁蚀刻损伤的纳米尺度和空间变化
机译:高击穿集成铁电电容的可靠性研究。
机译:高能量密度电容器应用中场致反铁电/铁电到铁电相变的非线性介电行为
机译:缓冲层电容对铁电聚合物电容器电气特性的影响和场效应晶体管
机译:现场强制反铁电对铁电相变介质和脉冲放电电容器弛豫铁电体的评价
机译:非易失性铁电存储器(FRAM)的单元块结构,包括具有高残留极化的铁电材料电容器,用于在去除电场后保留数据
机译:形成铁电层的方法和电容器以及使用该方法的FRAM
机译:用于计算机的FRAM半导体存储器-具有连续的存储单元。晶体管,源极和漏极之间的铁电电容器,串联连接的存储单元和选择晶体管
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