P型CuAlO_2半导体陶瓷的烧结研究

摘要

性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件。本文以纳米级Al2 O3 粉体和微米级Cu2 O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2 。以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响 ,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷 ,其迁移率达到 2 7cm2 ·V-1·s-1。以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为 2 1cm2