Hg掺杂对BaPb1-xBixO3超导体中Pb和O的化学环境的影响

张勇; 陈永亮; 崔雅静; C．H．CHENG; 赵勇

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Hg掺杂对BaPb1-xBixO3超导体中Pb和O的化学环境的影响

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采用XPS方法对BaPb1-xBixO3超导体以及Hg掺杂BaPb1-xBixO3超导体进行了对照研究,结果表明当Hg取代Pb后,位于18eV和22eV的价带的强度发生变化并与样品的超导转变温度相关联,O1s和Pb4f谱峰也随Hg掺入而发生位移,说明随Hg的掺入BaPb1-xBixO3超导体的化学环境发生改变.

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来源
《低温物理学报》 |2008年第1期|18-22|共5页
作者
张勇; 陈永亮; 崔雅静; C．H．CHENG; 赵勇;
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作者单位

教育部磁浮技术与磁浮列车重点实验室西南交通大学超导研究开发中心;

成都610031;

School of Materials Science and Engineering;

University of New South Wales;

Sydney 2052;

NSW;

Australia;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类超导电性;用作吸附剂的人造硅酸盐;
关键词
X光电子能谱; 超导体; Hg掺杂; BaPb0.75Bi0.25O3;

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