退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李志成; 刘路; 贺连龙; 徐永波;
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
电子束诱导; 非晶GaAs; 晶化; 电子束辐照; 结晶; 原位观察;
机译:直接观察电子束诱导的非晶GaAs形核和生长
机译:多余的氧扩散诱导ZrC_(0.6)O_(0.4)的非晶化和电子束辐照下非晶层的转变
机译:Cr-Si-Ni-Al非晶膜的晶化-金属间相Cr(Al,Si)_2的形核与生长
机译:MeV注入过程中离子束诱导非晶GaAs层中的形核
机译:氢化非晶硅薄膜的形核和生长的表面研究。
机译:Ge2Sb2Te5相变存储材料中的压力诱导可逆非晶化和非晶-非晶过渡
机译:非晶 - 晶界形态对预非晶硅中位错形核的影响
机译:使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译:金属诱导的非晶半导体量子点的纳米晶化
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。