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李炎; 刘玉岭; 王傲尘; 刘伟娟; 洪娇; 杨志欣;
河北工业大学微电子研究所;
催化反应; 低磨料浓度; 化学机械平坦化; 腐蚀电位; 腐蚀电流; 台阶高度;
机译:电化学机械平坦化和化学机械平坦化对两步抛光工艺的影响
机译:磨料纳米粒子浓度对钨化学机械平面化的摩擦学,热和动力学属性的影响
机译:铜化学机械平面化过程中工艺条件和磨料浓度对材料去除速率分布的力学影响
机译:Cu /低k和Co / Ultra低k互连磨料自由铜化学机械平坦化的研究
机译:化学对氧化铝浆料的胶体行为和铜化学机械平坦化的铜纳米硬度的影响
机译:使用底物类似物的ISPH催化反应的机械研究:底物结合和质子化的影响
机译:朝向低光群的浓度质量关系的平坦化及其对湮灭信号提升的影响
机译:鲁米诺 - 铜 - 过氧化氢体系化学发光催化反应研究。 II。光电法研究铜浓度的影响
机译:浅沟隔离(STI)化学机械平坦化(CMP)抛光,使用低磨料浓度和化学添加剂组合
机译:浅沟渠隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光低磨料浓度和化学添加剂的组合
机译:STI CMP浅沟槽隔离STI化学机械平面化CMP抛光,低磨料浓度和化学添加剂的组合
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