铝锆碳质滑板中SiC晶须形成机理

摘要

以铝锆碳滑板基质部分为研究对象，以金属硅粉、石墨和碳黑为原料，混合后在埋碳气氛下，于1200-1600℃范围内进行高温处理。通过透射电镜和能谱仪分析，研究发现碳化硅晶须为哑铃状，并且随着热处理温度升高，哑铃状小球慢慢减少，在这个过程中，SiC晶须的生长机理为气-固反应模型。