Hf：LiNbO3晶体的生长与其抗光损伤性能

摘要

同成分LiNbO3(LN)中分别掺入摩尔分数为2%,4%,4.5%的HfO2,用提拉法生长3种Hf:LN晶体。测试了Hf:LN晶体光学均匀性和红外光谱。以质子交换法制备Hf:LN波导基片,采用全息法测量Hf:LN波导基片光损伤阈值。结果表明:Hf:LN晶体具有较高的光学质量;4%Hf:LN晶体和4.5%Hf:LN晶体的OH-吸收峰由LN晶体的3482cm-1移到3488cm-1。4%Hf:LN晶体和4.5%Hf:LN晶体光损伤阈值比LN晶体高1个数量级;掺4%Hf4+在Hf:LN晶体中达到阈值浓度。讨论了OH-吸收峰移动和Hf:LN晶体光损伤阈值提高的机理。