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戴永胜; 陈堂胜; 俞土法; 刘琳; 杨立杰; 陈继义; 陈效建; 林金庭;
南京电子器件研究所;
砷化镓; 芯片; 多倍频程; 矢量调制器;
机译:采用GaAs HBT的Ka频段IQ矢量调制器
机译:采用GaAs / InGaP HBT的紧凑型38 GHz MMIC平衡矢量调制器
机译:倍频程下环形谐振器波导损耗对高线性光学调制器SFDR性能的影响
机译:基于GaAs-AlGaAs MQW调制器和检测器与硅CMOS倒装芯片结合的,具有大于4000个光学I / O的光电VLSI交换芯片
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:GaAs机载有源相控阵合成孔径雷达单芯片C波段线性MMIC矢量调制器
机译:通过平衡检测实现低偏置调制器的多倍频程,高动态范围操作
机译:芯片外壳中的改进的正交混合和矢量调制器
机译:使用相同的芯片规模封装,改进了正交混合和矢量控制调制器
机译:改进了正交混合和内部的矢量调制器,使用了改进的尖端/芯片级封装
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