光电功能材料

摘要

TN204 99042734GS—MBE生长的GaP/Si的XPS研究=X—rayphotoelectron spectroscopy studies of epitaxialstructure GaP/Si grown by GS—MBE[刊,中]/吴正龙,李晓文（北京师范大学分析测试中心.北京（100875））,余金中,成步文,于卓,王启明（中科院半导体研究所.北京（100083））//发光学报.—1998,19（2）.—109—116利用X射线光电子能谱（XPS）深度剖析方法对气体源分子束外延（GS—MBE）生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析。其结果表明:（1）外延层内Ga、P光电子峰与GaP相相符,且组份分布均匀,为正化学比GaP。（2）在不同富PH3流量条件下生长的样品,其表面富P量稍有不同,而GaP外延层内的测试结果相同。界面也未见有P的富集。