掺Sn-InP单晶的制备（摘要）

摘要

＜正＞ 由于InP单晶材料在微波器件和光电器件等方面的应用,使InP单晶得到迅速的发展。英国MR公司利用LEC方法已生产出φ80mm,重3Kg的InP单晶。yasuo Seki等人利用杂质钉扎效应已拉出重掺（Zn,s）低位错和无位错InP单晶。国内近几年,在多晶合成和单晶制备等方面也取得较大进展。本实验采用L4316Ⅱ/ZF型高压单晶炉,对掺Sn-InP单晶进行了研制。在φ60mm的石英坩埚中,装100—130克InP多晶和45克B2O3,掺0.1%重量的Sn。拉晶时炉内压力