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GaAs—AlxGa1-xAs双异质结激光器串联电阻的研究

     

摘要

<正> 一、引言GaAs-AlxGa1-xAs双异质结激光器在国内、外光导纤维通讯系统试验段中已使用多年。实用化不仅要求它有稳定的模式特性和较长的寿命,而且还要求它有良好的电学性质和调制特性。对电学性质的要求包括了串联电阻。激光器的串联电阻大,会降低它的功率效率,要求信号系统输出较大的功率,增高工作时的结温,这加速了老化。目前国内研制的GaAs-AlxGa1-xAs激光器的串联电阻一般都偏大。

著录项

  • 来源
    《半导体光电》|1981年第2期||共页
  • 作者

    王存达虞丽生;

  • 作者单位

    北京大学物理系;

    北京大学物理系;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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