GaAs/（AlGaAs）双异质结激光二极管P面电极的俄歇电子能谱分析

摘要

俄歇电子能谱广泛地应用于科学研究。本文叙述了用俄歇电子能谱来分析GaAs/（AlGaAs）DH LD P面电极的情况,对没有热合金和经过在高真空中450℃合金5分钟的两种样品进行了分析,得到与国外同行类似的测试结果。木文的分析结果表明,由于热合金而出现了很强的氧峰,大约为没有热合金样品的五倍,并使Au、Cr进入GaAs之中,而没有热合金的Cr—Au电极样品就没有这些不良因素;由此本文提出热合金的Cr-Au电极对GaAs/（AlGaAs）DH LD的发光性能是不利的,有必要进行改进。本文还根据金属-半导体接触的原理,根据几种电极材料比接触电阻值与半导体载流子浓度的关系曲线,认为GaAs/（AlGa）As DH LD P面电极不采用热合金工艺也可以获得小的、适合器件要求的接触电阻。