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半导体MOS器的筛选测试

         

摘要

文中分析了半导体MOS随机存贮器RAM的测试特点和产生失效的原因及类型(软失效和硬失效)。并且分析了易于产生失效的外界条件。以及如何在筛选测试中选择对器件灵敏的测试图型,并指出在高温条件下对器件采用临界定时测试及边界失效曲线的测试方法和优点,以及对器件测试的严格性。

著录项

  • 来源
    《电子测量技术 》 |1983年第2期|33-38|共6页
  • 作者

    宋奎元; 郭志先;

  • 作者单位

    中国科学院计算技术研究所;

    中国科学院计算技术研究所 助理研究员;

    副研究员;

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  • 正文语种 chi
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