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红外吸收法测定硅中氧含量

         

摘要

<正> 一、前言氧原子是存在于半导体材料硅中的主要非金属杂质之一,是引起硅器件成品率低和质量不稳定的一大因素,这是因为:1.硅单晶中存在的氧含量可高达1016原子/cm~3——1018原子/cm~3在单晶热处理时会产生施主,因而引起电阻率发生剧烈变化,甚至改型。2.进入硅中的氧围绕在重金属杂质的周围,屏蔽了金属原子对少子寿命的作用,经过热

著录项

  • 来源
    《半导体光电》 |1980年第4期|48-50|共3页
  • 作者

    冯冰;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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