石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质

摘要

本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10-6的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ77K=9.41×10~4～1.22×10~5厘米~2/伏·秒,n77K=3.77×1013～4.53×1014厘米-3。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施主浓度ND、熔融KOH腐蚀坑密度和生长层表面氧化膜的影响以及这些参数间的相互关系。 根据生长层的电学性质,计算了室温迁移率的计算值与实测值之差Δμ300K。发现,后者随ND增加而降低,恰与前一文报导的用石英舟液相外延的情况相反。由此推测,在本文实验条件下,迁移率刽子手的本性也与前文有所不同,而以碳或碳化物较为可能。