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一种新的液相测试探针——InGaSn合金探针

         

摘要

<正> 在许多半导体硅材料的物理参数测试,特别是硅的界面特性测试中,常需要在样品上蒸铝(或蒸其它金属)形成肖特基结或MOS结构.由于测试样品必须作蒸铝及光刻工艺,因而给测试工作带来很多麻烦,特别是作为半导体器件生产中的工艺监督更感到非常不便.所以曾有好多人提出采用其它的测试探针,以替代样品上的铝电极.Bandawi等

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1980年第4期|27-35|共9页
  • 作者

    徐至中; 梁丽芬;

  • 作者单位

    复旦大学物理系;

    复旦大学物理系;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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