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改善“E-T”电路的开关速度

         

摘要

<正> 上海玩具十五厂主要生产高速ECL电路。在改用上海合金厂提供的区熔P型单晶作衬底之后,发现隔离击穿和二极管特性均比一般直拉单晶为好,电路成品率较高,因此将所有品种都选用区熔单晶作衬底。但是在“E→T”电路的生产中,发现按原有工艺条件生产,虽然静态参数测量完全符合要求,而动态测试表明,开关速度过慢,后沿的平均延迟时间tpd2比设计标准长一倍之多,无法满足整机的要求。为此,我们对影响“E→T”电路开关速度的因素作了剖析,并提出磷扩散后变温氧化工艺的新措施。实践证明,能显著地降低贮存时间。

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  • 来源
    《半导体技术》 |1978年第3期|1-9|共9页
  • 作者

  • 作者单位

    中国科学院上海冶金所;

    上海玩具十五厂;

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  • 正文语种 chi
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