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硅稳压管的热稳定性

         

摘要

<正> 热稳定性是使用硅稳压管时一个比较常见又突出的问题。本文先介绍电压基准常见的“温度补偿法”,进而涉及更为普遍的温度、电流、电压三者的热稳定关系及有关的物理机理,指出使用硅稳压管时值得注意的几个问题。 一 精密电源中的电压基准对硅稳压管的热稳定性要求非常高。它限制稳压管击穿电压随温度变化的相对变化率(电压温度系数CTV=ΔV/VΔT)在10-5~10-6/℃。然而一般能满足这种高要求的低温度系数稳压管产品(俗称标准稳压管)的稳压范围十分狭窄,仅在6.0~6.5伏之间,制造工艺比较复杂,价格比较昂贵,且很难购得。如果整机需要其它稳压值的基准电压,就得采用分立的稳压管互相串联的所谓“温度补偿”办法(标准稳压管也是采用温度补偿,但它是在一个硅单晶基片上同时制成互相串联的稳压单元构成的),从而在较宽的电压范围内获得10-5~10-6/℃数量级的低温度系数基准电压。 在详述“温度补偿法”前我们先介绍一些必要的基本概念。 在实际使用时,我们容易观察到硅稳压管的反向击穿电压随温度(环境温度或结温)

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1976年第1期|30-37|共8页
  • 作者

  • 作者单位

    杭州无线电二厂;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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