使用凹槽磨块减薄GaAs功率MESFET芯片

摘要

＜正＞在GaAs功率MESFET的研制和生产过程中,为了减小器件热阻,必须减薄芯片之后再进行管芯装架。目前我们要求芯片减薄到大约100μm。 为了改进芯片减薄工艺,我们加工了如图1所示的不锈钢凹槽磨块。其槽深是关键尺寸,它应该等于减薄之后的芯片厚度与粘料厚度之和。