汽相硅单晶生长

摘要

＜正＞一、前言 用硅的卤化物进行化学汽相沉积直接生长硅单晶锭（CVD法）是比切克劳斯基法（CZ法）和悬浮区熔法（FZ法）更为简便的工艺。它在下述三方面引起了大家的兴趣: （1）作为生长低成本硅单晶锭的一种方法;