首页> 中文期刊> 《半导体技术 》 >过量的硅-铝合金化能使电路性能下降

过量的硅-铝合金化能使电路性能下降

         

摘要

<正>在集成电路生产过程中,我们发现了一个不引人注意,但又严重地影响着产品成品率的问题,即过量的硅-铝合金化能使集成电路性能下降.我们曾观察到,在合金化前选出一批电路中性能良好的调试管芯,经过不适当的条件合金化,部份或成批的管芯特性变坏,如图1示.而将Al和SiO2层全部去除,重测这批管芯,特性又恢复正常.很显然,问题在Al与

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1984年第5期|29-31|共3页
  • 作者

    王万录;

  • 作者单位

    兰州大学;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号