LPCVD工艺—用20、50浓度的硅烷淀积多晶硅的工艺报告

摘要

＜正＞很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,原来的常压CVD技术淀积方法已经不能满足这种要求,人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求.