首页> 中文期刊> 《半导体技术 》 >半导体整流器件质量概念和可靠性论证的新发展

半导体整流器件质量概念和可靠性论证的新发展

         

摘要

<正>半导体整流器件的静态特性是建立在经典的pn结导电理论的基础上的.也就是说通过整流器件直流伏安特性可以定量分析其静态特性.

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1989年第1期|49-52|共4页
  • 作者

    孙家清;

  • 作者单位

    天津市第三半导体器件厂;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号