首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >“二次击穿”的客观条件及保护措施

“二次击穿”的客观条件及保护措施

         

摘要

本文对大功率晶体管“二次击穿”物理过程作出了分析,并由此而设计的保护措施能够很好地解决“二次击穿”问题,在实践中取得很好的效果,可靠性水平达到97.5%,这个方案可应用于管子内部构造上,从而解决了“二次击穿”问题。

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1986年第3期|25-27|共3页
  • 作者

    朱军;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号