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室温下15GHz直接调制的半导体激光器

     

摘要

<正> 美国通用电话电子公司(GTE)研制出室温下用15GHz信号直接调制的半导体激光器。这种激光器是1.3μm InGaAsP VPR-BH(汽相再生长隐埋异质结构)激光器。有源层的杂质浓度约高达2×1018cm-3,直接调制的频率很高。激光器的腔长是100μm,宽是250μm,室温阈值电流是36mA。当把在直流偏置条件

著录项

  • 来源
    《半导体光电》|1986年第1期|87-87|共1页
  • 作者

    徐振华;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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