用于制作长波长光电探测器的GaxIn1-xAs/GaAs异质结多元汽相外延

摘要

采用Ga-In（InAs）-AsCl3-H2系统,在衬底材料GaAs单晶片上,生长出了适合于制作长波长光电探测器的、晶格匹配的GaxIn1-xAs外延层,并成功地制造出了GT301型p-i-n光电探测器。该探测器已正式通过定型鉴定。光敏面为φ100μm的探测器,反向击穿电压典型值在50伏以上;在-5V的偏置下,暗电流小于10nA,最小低于3nA;采用同轴二型管座带光纤耦合封装,二极管电容一般在1.2pf以下。在1.28μm波长下,光电灵敏度典型值在0.5μA/μW以上,最高达0.76μA/μW;响应时间为:上升时间tr≤60ps,下降tf＞100ps。