GaAs0.6p0.4发光二极管中的电子陷阱

摘要

＜正＞ 陷阱的存在对发光二极管的发光效率和其他性能有决定性的影响。检测发光二极管中的陷井能级并研究其性质,一直是发光二极管的重要研究课题之一。近年来,许多作者曾应用各种方法如TSC法（热激电流法）、PCT法（光电容瞬态法）等对目前最广泛使用的GilAs0.6P0.4红色发光二极管中的电子陷阱能级进行测量,但不同作者所报导的结