半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

摘要

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物 P 型（72%Sb2Te3+25%Bi2Te3+3%Sb2Se3）和 N 型（90%Bi2Te3+5%Sb2Te3+5%Sb2Se3）的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω-1·cm-1 λ=14.7mW/（cm.K） Z=2.9×10-3/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω-1·cm-1 λ=14.0mW/（cm.K） Z=3.1×10-3/K