多量子阱有效折射率偏振相关性研究

摘要

分析了多量子阱材料各参数对其TE模和TM模有效折射率的影响。结果表明：阱数增多，多量子阱有效折射率降低，当量子阱数目大于3时，其有效折射率的变化不明显。垒厚增加，有效折射率略有降低。存在合适的张应变量使TE模和TM模有效折射率峰值波长接近的同时，折射率差值整体最小，偏振相关性最小。据此提出多量子阱材料有效折射率低偏振相关设计方法，并设计出C波段内（1 530～1 565 nm）折射率低偏振相关的InGaAs/InGaAsP多量子阱材料。研究结果有助于设计实用化的有效折射率低偏振相关量子阱材料。