半导体激光辅助直接盖髓术在龋源性露髓患牙中的效果评价

摘要

目的:探讨半导体激光联合氢氧化钙行直接盖髓术是否可以提高深龋露髓患牙的保髓成功率。方法:选取深龋露髓患牙100例,随机分为试验组和对照组,每组各50例。试验组以功率1.5 W、波长808 nm、直径320μm、距离2~3 mm、连续波激光照射露髓点2 s,控制出血;以功率1 W、波长808 nm、直径320μm、距离2~3 mm、连续波激光每2 mm照射1 s,进行窝洞净化,用氢氧化钙制剂盖髓;对照组直接采用氢氧化钙制剂盖髓。随访观察1年后,评价2组患牙的牙髓活力。采用SPSS 19.0软件包对数据进行统计学分析。结果:试验组50例患牙,失访3例,1年后成功率为89.4%;对照组50例患牙,失访5例,1年后成功率为73.3%,2组之间差异显著(P<0.05)。结论:半导体激光联合氢氧化钙用于深龋露髓患牙直接盖髓术,可明显提高保髓成功率,值得推广应用。