Ka波段GaAs MMIC单平衡宽带混频器

摘要

介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显示该混频器芯片在30~40 GHz频率范围内获得了良好的性能,变频损耗小于10 dB,射频-本振隔离度大于30 dB,中频-本振隔离度大于35 dB,中频-射频隔离度大于40 dB,同时具有优良的驻波特性,P-1 dB功率大于0 dBm。该芯片尺寸为1.7 mm×1.8 mm。对该混频器进行了流片,并进行测试,测试结果表明,该混频器变频损耗约为8 dB,各端口间隔离度均优于30 dB。测试结果和仿真结果一致性良好。采用Lange耦合器是该混频器的特点,使它获得了良好的性能指标和更宽的带宽。