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张一尘; 吴景峰; 银军; 斛彦生;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
内匹配器件; 功率放大; S波段; GaN; 宽带;
机译:S波段170W / 70%部分匹配的GaN HEMT高效大功率放大器:通过谐波处理实现GaN-on-Si器件的高效率
机译:用于基于输出匹配的高功率密度N极GaN器件的W波段被动载荷拉动系统,基于输出匹配和驱动电源要求与栅极宽度
机译:基于粒子的功率放大器应用毫米波GaN器件可靠性建模
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:使用腔内自适应光学器件的可控连续波Nd:YVO₄自拉曼激光器
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:制造GAN基功率器件的方法和由此制造的GAN基功率器件
机译:形成GaN基功率器件的方法和由其形成的GaN基功率器件
机译:包含内部阻抗匹配电路的高功率放大器的GaN半导体封装内部匹配电路的匹配方法及其调整方法
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