首页> 中文期刊> 《硅酸盐学报 》 >Cd掺杂钙铝石多孔电子化合物的制备及其电学性能

Cd掺杂钙铝石多孔电子化合物的制备及其电学性能

         

摘要

采用溶胶–凝胶伴随相分离法并结合真空还原工艺制备了Cd掺杂钙铝石(Ca(12–x)CdxAl7O33)电子化合物多孔材料,研究了Cd掺杂对钙铝石电子化合物的显微结构、晶体变化及其电学性能的影响。结果表明:Cd掺杂钙铝石含有全贯通网络状的大孔微观结构,大孔骨架致密稳定,孔隙率最高达66%;1 100℃热处理后,Cd元素取代较为活泼的钙离子,使得体系更为稳定,且不会破坏钙铝石本身较为稳定的笼状结构;经真空900℃还原,Cd掺杂钙铝石由绝缘体变为电子化合物,具有一定导电能力,其电子浓度最高可达6.904×10^13 cm^–3。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号