硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟

摘要

分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100～109Gy(Si)/s范围内,诱发硅PIN光电二极管光电流变化的初步规律。对比了辐射效应数值模拟结果与国外相关文献给出的辐照实验结果。