半导体用高利用率长寿命溅射靶材的研制

摘要

半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命和芯片制作的成本，在靶材研制中需要重点关注。以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为例，介绍了溅射靶材的发展演变，并以靶材使用前后轮廓测量为基础，研究了100～300mm晶圆制造用靶材的利用率。结果表明，常规靶材随着尺寸增加和溅射工艺的严格控制，靶材利用率减小（〈30％）。制备高利用率的大尺寸长寿命靶材，需对靶材的溅射面形貌和靶材厚度等方面进行结构优化设计，经优化设计后的靶材利用率最大可达到50％以上，使用寿命亦显著延长。