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孔令民; 李鼎; 张野芳; 宿刚; 薛江蓉; 姚建明; 吴正云;
浙江海洋学院物理系,浙江舟山316000;
浙江海洋学院数学系,浙江舟山316000;
厦门大学物理系,福建厦门361005;
InGaN/GaN多量子阱; 光致发光; 时间分辨谱;
机译:双波长InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光特性和载流子动力学研究
机译:a平面InGaN / GaN量子阱基发光二极管发出的光的偏振特性研究
机译:不同应变条件下半极性InGaN / GaN量子阱的发光偏振特性研究
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:通过调整量子阱相对于InGaN / GaN多量子阱发光二极管中p掺杂区的位置来改善电致发光性能
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
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