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杨辰; 王珺; 王磊; 余可航;
复旦大学材料科学系;
上海200433;
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;
江苏无锡214135;
芯片封装交互影响; 有限元分析; 子模型; 剪切实验; 能量释放率(ERR);
机译:极点控制的宽带120 GHz CMOS功率放大器,用于40 nm CMOS工艺中的无线芯片间通信
机译:使用准直X射线束的电荷共享校正算法,对采用40 nm CMOS工艺制造的光子计数CHASE Jr.芯片进行表征
机译:用于混合像素检测器的40nm CMOS工艺中原型读取芯片的匹配和噪声性能测量
机译:多孔低k电介质直接抛光方案中TDDB失效模式及其在45nm及以上工艺的工程研究
机译:倒装芯片封装的铜/低k互连结构中低k电介质的界面粘附和亚临界剥离。
机译:通过设计获得的质量I:失效模式效应分析(FMEA)和Plackett-Burman实验设计在确定盐酸罗布沙星速释片的配方和工艺设计空间中的主要因素时的应用
机译:采用50nm工艺的同步失效CmOs布局设计与性能分析
机译:在LaCa40(B03)3(LaCOB),GdCa40(B03)3(GdCOB)和YCa40(B03)3(YCOB)中,在1064 nm处的1型倍频率倍增
机译:适用于40nm工艺的超低功耗晶体管
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