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熊超; 朱锡芳; 陈磊; 陆兴中; 袁洪春; 肖进; 丁丽华; 徐安成;
常州工学院光电工程学院;
江苏常州213002;
华南理工大学电子与信息学院;
广州510641;
p-CuI/n-Si异质结; I-V特性; C-V特性; 内建电势; 界面态;
机译:在形态学上较弱的CuI的少数载流子控制的n-Si / p-CuI异质结上产生高光电压
机译:在n-Si衬底上(GaN:Mn NW / n-Si)异质结掺杂Mn的GaN纳米线二极管的制备和电特性
机译:单纯溶胶 - 凝胶法制备P-CUO / N-Si异质结的制备和光电性能
机译:p-CuI / n-Si异质结二极管的制备与表征
机译:自组装单层二极管和体异质结有机光伏器件的光电研究。
机译:基于p-GeTe / n-Si异质结的红外光电探测器
机译:快速热氧化制备p-Cu2O / n-si异质结光电二极管的特性
机译:Cu2O / TiO2纳米管异质结阵列的制备及其光电化学行为研究。
机译:具有改善的噪声特性的异质结双极型光电晶体管
机译:异质结的制备方法MOF-DERIVED氧化锌和二氧化钛复合材料,并利用光电水分裂
机译:表面等半导体异质结谐振光电子及其制备方法
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