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杨帅强; 刘英坤;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS); 衬底; 晶面; 器件结构; 击穿电压; 比导通电阻;
机译:用器件仿真研究用于实现线性掺杂功率LDMOS的Si / SiC衬底
机译:ROHM和SiC功率器件的发展趋势SiC功率模块为低碳社会做出了贡献,包括低损耗和低浪涌电压。
机译:SiC功率器件的研究和发展趋势:器件的特性和挑战以及最近的发展趋势
机译:SiC功率器件的发展现状及其应用
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:基于热阻传感器的LDMOS通道温度计用于平衡单片功率IC中的温度
机译:使用SiC器件的高功率功率电子器件的高温功率模块技术的数值建模。
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:功率LDMOS 5-漏电断路器系统,使用嵌入了功率LDMOS跳闸驱动器的五端NMOS FET器件
机译:SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
机译:SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法
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