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付三丽; 杨维明; 黄恒一; 郭伟玲; 陈建新;
湖北大学计算机与信息工程学院;
武汉430062;
北京工业大学北京市光电子技术实验室;
北京100022;
温度; 发光二极管(LED); 色温; 光通量; 峰值波长;
机译:p-GaN /溅射沉积NiAg基电极的界面性能对垂直GaN基LED的光学性能的影响
机译:各种未掺杂的GaN厚度对GaN基LED的ESD和光学性能的影响
机译:共晶AuSn层中的相分布随温度上升速率而变化,并且对GaN基垂直结构LED的性能产生影响
机译:退火处理对带ITO膜的GaN基LED光学和电子性能的影响
机译:加工温度对铜锰铁基尖晶石热电和光学性能的影响。
机译:分布式布拉格反射器对GaN基倒装芯片发光二极管电学和光学性能的影响
机译:p-GaN退火对GaN基LED晶圆和器件性能的影响
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:GaN基半导体光学器件,GaN基半导体光学器件的制造方法,外延晶片的生长方法和GaN基半导体膜
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