T6和T78时效工艺对Al-Mg-Si-Cu合金显微结构和性能的影响

摘要

借助显微硬度测试、电导率测试、浸泡腐蚀实验、SEM，TEM和元素面扫描，研究了T6和T78时效工艺对A1-0．75Mg-0．75Si-0．8Cu（质量分数，％）合金显微结构和性能的影响．结果表明，实验合金在T6峰值时效（180℃，8h）时，硬度为128．3HV，电导率为27．3x10。S／m．在T6（180℃，5h）基础上，分别进行温度为195，205和215℃的二级时效，即T78时效工艺，随二级时效时间的延长，合金硬度总体变化趋势为先降低后升高，而电导率值逐渐增大；最佳T78工艺为f180℃，5h）＋（195℃，2h），此时合金的硬度最高，为129．2HV，电导率为27．6x10^6S／m．TEM观察发现，T6峰值时效时，晶粒内主要析出针状的卢”相，经T78双级时效处理后，晶粒内析出大量的板条状析出相，而晶界无析出带仅稍有变化．T78工艺能在保持力学性能的同时，大幅提高耐晶间腐蚀性能，其原因是晶粒内形成了表面有Cu富集的板条状析出相．晶粒内析出大量板条状强化相，使得合金硬度与T6峰值相当，同时Cu偏聚在析出相与Al基体界面处，促使更多Al基体中的Cu析出，基体与无析出带（PFZ）电位差大大降低，使得其抗晶间腐蚀性能大大提高．