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王泽辉; 沈鸿烈; 魏青竹; 倪志春; 李树兵; 李跃; 张树德;
南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换与技术重点实验室,南京210016;
苏州腾晖光伏科技有限公司研发部,江苏常熟215542;
PERC电池; LID效应; 铸造单晶硅; 电注入退火; 电学性能;
机译:双电流注射退火对单像铸硅PERC太阳能电池抗盖效应的影响
机译:注入后退火条件对磷注入发射极晶体硅太阳能电池电特性的影响
机译:环境条件对叉指背接触单晶硅太阳能电池电参数影响的研究
机译:商业化B掺杂PERC太阳能电池抗LID技术的可靠性
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:两步后退火通过原子层沉积氧化铝增强的Si钝化和PERC太阳能电池效率
机译:通过铸造方法制造的单晶硅晶片:光电,结构和太阳能电池研究
机译:退火条件对si +和mg +注入211 GaN掺杂抗旋转性能的影响
机译:用于制造太阳能电池的发行者的区域的方法,该方法包括:掺杂剂的第一杂质离子注入和被注入以形成附加区域的杂质首先,以及形成第二注入区域的第二掺杂剂,去除未注入的区域并退火注入的区域;并制造了太阳能电池。
机译:单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
机译:晶体硅太阳电池电注入退火试验方法
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