新型二氧化铪材料

摘要

英国剑桥大学工程系AndrewFlewitt研究小组新近采用HiTUS（高靶利用率溅射法）新技术，以高沉积速率在室温下制得了新型的非晶态二氧化铪材料，该新材料较之当前在电子工业中使用的二氧化铪（介电常数约为20）具有非常高的介电常数（〉30）。当前采用溅射法在基板上生产的金属氧化物，因为在沉积过程中难以精确控制其能量分布以致所得材料性能（如缺陷密度）并不稳定，