阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为

摘要

阿霉素（ＡＤＭ）在 ０．００５ ｍｏｌ· Ｌ－１　 Ｔｒｉｓ／ ０．０５ ｍｏｌ· Ｌ－１ ＮａＣｌ溶液中，在 Ｃｏ／ＧＣＥ上有一灵敏的还原峰，峰电位为－０．６２ Ｖ（对 ＳＣＥ）．峰电流与 ＡＤＭ的浓度有关．用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为，实验表明，电极过程是受吸附控制的准可逆过程，注入的钴催化了ＡＤＭ的还原．根据Ｌａｖｉｒｏｎ吸附理论，求得电极反应速率常数Ｋ０＝２．１５ｓ－１，电荷转移系数α＝０．６２．用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）等表面分析手段，对离子注入修饰电极表面的元素组成、价态和深度分布进行测定．钴离子确实被注入在ＧＣＥ表面．并初步认为，被注入的Ｃｏ形成的Ｃｏ－Ｃ催化ＡＤＭ在电极上的还原．