弥散分布纳米级析出物提高Bi_2Te_3的功率因子

摘要

Hirafumi Hazama等人通过细心控制烧结温度和退火温度,以及随后液相淬火,成功合成了含有Ga2Te3析出物的Bi2Te3。弥散分布在Bi2Te3里面的纳米级Ga2Te3析出物,起了能量过滤作用。研究结果表明,100nm的Ga2Te3析出物,提高了n-型Bi2Te3的功率因子（PF值）,而毫米级Ga2Te3则无这种功能,而且均匀分布比不均匀分布的纳米级Ga2Te3析出的,提高PF值更明显。本研究制出的Bi（1.9）Ga（0.1）Te3,在300K的PF值为2.80×10^-3W/（m·K^2）,比通常n-型Bi2Te3高0%。