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李仪; 蒋红; 周咏东; 李菊生; 金亿鑫;
中国科学院长春物理研究所;
长春130021;
多孔硅; 发光; 铒; 离子注入; 半导体; 硅;
机译:Ar +离子注入能量对多孔硅光致发光的影响
机译:硼和磷离子注入n〜+和p〜+单晶中形成的多孔硅的光致发光和EPR
机译:通过等离子浸没离子注入(PIII)对退火的多孔硅注入氮的光致发光和反射率测量
机译:氩离子注入和预阳极氧化氩离子注入对多孔硅光致发光的影响
机译:芳香族分子淬灭多孔硅的光致发光,并用二甲基亚砜,芳基锂或烷基锂试剂对多孔硅进行表面衍生
机译:用porous掺杂多孔硅:填充孔以限制Er簇效应并增加其发光的方法
机译:离子注入和mBE生长的Er掺杂Gaas和al(x)Ga(1-x)as的发光研究。
机译:方法,呃——或者ER / O-doped做准备硅基发光材料发光沟通乐队在室温下,发光材料和ER - ER / O-SI激光
机译:胶态光致发光非晶态多孔硅,制造胶态光致发光非晶态多孔硅的方法以及使用胶态光致发光非晶态多孔硅的方法
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