掺杂C545T对2T-NATA作为空穴注入层OLED性能的影响

摘要

实验制备了6组结构为ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3(20nm)∶C545T(x%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿光多层结构OLED器件,其中x分别为0、1、2、3、4和5。比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性,结果表明:用2T-NATA作为空穴注入层可有效提高载流子的注入效果,同样能够达到高亮度。将C545T掺杂到Alq3中能够明显改善器件的发光亮度和色纯度,并调节载流子复合区域的位置,有效提高发光效率。掺杂C545T对器件性能的影响显著,随着C545T掺杂浓度的提高,电流和亮度先增大后减小。当掺杂浓度为3%时,14V电压下的最大发光亮度达到12418cd/m2,浓度为2%时的器件,在12V驱动电压下的最大电流效率为10.22cd/A。