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赵正平;
中国电子科技集团有限公司;
北京100846;
专用集成电路重点实验室;
石家庄050051;
金刚石; 单晶; 多晶; 金刚石二极管; 金刚石场效应晶体管(FET); 射频(RF)FET; 金刚石上GaN HEMT; 功率电子学;
机译:研究。 U槽和V槽DGS的双禁带超宽带天线
机译:(Zn,Mg,Be)O宽禁带半导体合金的带隙弯曲和p型掺杂:第一性原理研究
机译:可弯曲的外延生长立方NiO和光谱研究薄膜合成云母再n型宽禁带半导体氧化物
机译:紫外光致发光和拉曼光谱研究宽禁带半导体合金
机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:具有偶极子禁带跃迁的半导体生物激发的带边激光作用
机译:非金刚石基体上金刚石的假形稳定化。第1部分:单晶氧化铍上的DiamondGrown。第2部分:c-BN /金刚石合金的异常带隙行为和相稳定性
机译:集成在功率禁带范围大的功率的半导体衬底中的电子设备的制造方法以及由此获得的电子设备
机译:用于宽禁带半导体功率器件的原位掺杂半导体门电极的系统和方法
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