一款超高压LDMOS管的物理建模

摘要

借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTⅢ,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等。所得结论与实测结果基本吻合。